El Arancel Integrado de Aplicación (TARIC) fue adaptado completamente, por última vez por Resolución de 5 de Diciembre de 2002 (Boletín Oficial del Estado del 24 de Diciembre de 2002) y parcialmente por la Resolución de 17 de diciembre de 2002 (BOE de 17 de enero de 2003), Resolución de 22 de enero de 2003 (BOE de 7 de febrero de 2003), Resolución de 24 de febrero de 2003 (BOE de 6 de marzo de 2003) y en último lugar por la Resolución de 22 de abril de 2003 (BOE de 6 de mayo de 2003). Habiéndose producido desde esta última, la publicación de diferente normativa comunitaria que supone la variación sobre la actual codificación, se hace necesaria la adaptación de la estructura y codificación del TARIC, sustituyendo los códigos afectados.
Basándose en lo anterior, se acuerda lo siguiente:
Primero.
Actualizar la nomenclatura y codificación del Arancel Integrado de Aplicación (TARIC), reemplazándose los textos de las partidas afectadas por los incluidos como anexo A, y aplicables desde el 16 de mayo de 2003.
Segundo.
Incluir como anexo B, los códigos TARIC que se suprimen a partir del 16 de mayo de 2003.
Tercero.
Actualizar la relación de Códigos Adicionales según los contenidos en el anexo C y aplicables a partir del 16 de mayo de 2003.
Cuarto.
La presente actualización será aplicable desde el 16 de mayo de 2003.
Lo que se dispone para su conocimiento y efectos.
Madrid, 12 de mayo de 2003.–El Director del Departamento, Nicolás Bonilla Penvela.
ANEXO A
Altas de nomenclatura
| Codificación | Designación de las mercancías | US | Observaciones |
|---|---|---|---|
| 8473.30.10.10 | DRAMs (memorias dinámicas de acceso aleatorio), fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico llamado semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, «MOS», incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS). |
Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490). |
|
| 8473.30.10.90 | Los demás. |
Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490). |
|
| 8473.50.10.10 | DRAMs (memorias dinámicas de acceso aleatorio), fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico llamado semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, «MOS», incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS). |
Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490). |
|
| 8473.50.10.90 | Los demás. |
Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490). |
|
| 8542.21.01.10 | Memoria dinámica de lectura-escritura de acceso aleatorio (D-RAMs). | UN |
Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490). |
| 8542.21.01.90 | Los demás. | UN |
Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490). |
| 8542.21.05.10 | Memoria dinámica de lectura-escritura de acceso aleatorio (D-RAMs). | UN |
Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490). |
| 8542.21.05.90 | Los demás. | UN |
Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490). |
| 8548.90.10.10 | Densidades y variedades, tanto en forma de disco como de pastilla, fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico llamado semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, «MOS», incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS). |
Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490). |
|
| 8548.90.10.90 | Los demás. |
Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490). |
ANEXO B
Bajas de nomenclatura
Descripción
| 8473.30.10.00 |
| 8473.50.10.00 |
| 8542.21.01.00 |
| 8542.21.05.00 |
| 8548.90.10.00 |
ANEXO C
Altas de códigos adicionales
|
CD adicional |
Descripción | ||
|---|---|---|---|
| A437 | KR-Corea (Repúblic) |
8473.30.10.10 8473.50.10.10 8542.21.01.10 8542.21.05.10 8542.21.11.00 8542.21.13.00 8542.21.15.00 8542.21.17.00 8548.90.10.10 |
Samsung Electronics Co., Ltd<P>24th Fl., Samsung Main Bldg. <P>250, 2-Ga, Taepyeong-Ro<P>Jung-Gu, Seoul. |
| A443 | CN-China |
8714.91.10.19 8714.91.30.19 8714.93.90.90 8714.94.30.90 8714.94.90.19 8714.96.30.90 8714.99.10.90 8714.99.50.90 8714.99.90.19 |
Derecho anti-dumping suspendido para las siguientes partes bajo examen: Desde el 09.04.2003: <P>PRINCIPIA A/S<P> Frederik Raschs Vej 15<P> 9400 N.ºrresundby, <P> DA. |
| A999 | KR-Corea (Repúblic) |
8473.30.10.10 8473.50.10.10 8542.21.01.10 8542.21.05.10 8542.21.11.00 8542.21.13.00 8542.21.15.00 8542.21.17.00 8548.90.10.10 |
Las demás. |