1.

Equipos de alineación y exposición, por paso y repetición (paso directo en la oblea) o por paso y exploración (explorador), para el proceso de obleas utilizando métodos fotoópticos o de rayos X y que posean cualquiera de las características siguientes:

a. Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 193 nm, o

b. Capacidad de producir un patrón cuyo ‘tamaño de la característica resoluble mínima’ (MRF) sea igual o inferior a 45 nm

Nota técnica: El ‘tamaño de la característica resoluble mínima’ (MRF) se calcula mediante la siguiente fórmula:

MRF = (longitud de onda de la fuente de luz para la exposición en nm) x (factor K) / apetura numérica

siendo el factor K = 0,35.

2.

Equipos de impresión litográfica que puedan producir características de 45 nm de base o menos

— Instrumentos de impresión por microcontacto

— Instrumentos de troquelado en caliente

— Instrumentos de nanoimpresión litográfica

— Instrumentos de impresión litográfica S-FIL (step and flash).

3.

Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras, que reúnan todas las características siguientes:

a. Un haz de electrones, un haz de iones o un haz «láser», enfocado y desviable, y

b. Que posean cualquiera de las características siguientes:

 1. Un tamaño de anchura de altura media (FWHM) del haz en el impacto (spot) inferior a 65 nm y una colocación de imagen inferior a 17 nm (media + 3 sigma), o

 2. Sin uso

 3. Un error de recubrimiento de la segunda capa inferior a 23 nm (media + 3 sigma) de la máscara 3B001.f. (continuación)

4.

Equipos diseñados para el proceso de dispositivos, utilizando métodos de escritura directa, que reúnan todas las características siguientes:

a. Un haz de electrones enfocado y desviable, y

b. Que posean cualquiera de las características siguientes:

 1. Un tamaño mínimo del haz inferior o igual a 15 nm, o

 2. Un error de recubrimiento inferior a 27 nm (media + 3 sigma)».